E=Q/4πεr^2 ,r>R,以球心为中心,做个半径小于R的球面作为高斯面,因为高斯面内的净电荷为零,所以球面内的场强处处为零。在电场中某一点,试探点电荷(正电荷)在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量。于是以试探点电荷(正电荷)在该点所受电场力的方向为电场...
1、用高斯定理,电场只垂直板面,E*2S=Q/e;又Q=a*S;可得E=a/2e。其中a为电荷面密度,e为介电常数。符号不好敲,请自己替换。2、取点P到直棒的垂足O为原点,坐标轴ox沿带电直线,oy通过P点,设直线单位长度所带的电荷量为λ,即λ=q/L。3、若将k=1/4πε代入,则可得E=σ/2ε...
推导方法:建模: 在电荷面密度所在平面的上/下面取一个对称的闭合面,(两个面相等,比如圆柱体表面)。麦克斯韦方程组式1(高斯电场定律): ∫E·ds = ∫(下)E·ds+∫(上)E·ds+∫(侧面)E·ds=ΣQenc /ε0 。平面外曲面(垂直于平面 ): ∫(侧面)E·ds=0。平面外曲面(平行于平面): ...
E=F/q ② 场源点电荷Q在距离它r处的场强为E,E=kQ/r²
无限大带电平面场强公式怎么推导 高斯面的两个底面分别在平面的两端~底面面积是S 那么2ES=Q/(真空介电常数)=(电荷面密度)*S/(真空介电常数)所以E=电荷面密度/2真空介电常数 电场中某一点的电场强度的方向可用试探点电荷(正电荷)在该点所受电场力的电场方向来确定;电场强弱可由试探电荷...