G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
一、符号与基本结构 MOS管:简化为三个极,分别是栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况。BJT三极管:有三个极,分别是基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。三极管是电流控制型器件,用基极电流来控制发射极与集电极的导通情况。二、截止区...
在电路图中,场效应管符号箭头朝内代表N沟道MOS管,这是识别这类元件的关键标志。观察电路图时,我们可以通过箭头方向快速定位N沟道MOS管的位置。除此之外,了解MOS管各引脚的功能也非常重要。G代表栅极,它是控制信号输入端,D表示漏极,是输出电流的主要路径之一,而S则代表源极,是电流进入的另一端。
2、三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E分成NPN和PNP两种MOS管的源source和漏drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端。3、场效应管对应的三个级为源级,漏级 栅级 三极管的三个级为 基极 发射级 集电极...
三、总结 MOS管:通过D极与内部二极体的连接关系以及使用万用表测量来判断N沟道或P沟道。三极管:通过符号中的箭头方向以及电路图和器件标识来判断NPN或PNP。以下是一些相关图片,用于辅助理解:希望以上内容能帮助您清晰地区分N沟道P沟道MOS管和NPN PNP三极管。